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결정 소재 가공 및 기판 제조에서는 슬라이싱 공정의 경제성이 단순합니다. 잉곳이나 불에서 회수되는 유효 기판이 많을수록, 이후 래핑 및 연마 공정에서 재가공이 적을수록 웨이퍼 단가가 낮아집니다. 이 두 가지 변수를 모두 결정짓는 단계가 바로 절단입니다.
실리콘 잉곳, SiC 불, 사파이어 결정, 쿼츠 유리 블랭크는 원재료 단가가 낮지 않으며, 지속적으로 상승하는 추세입니다. 동시에 기판 슬라이싱 후 요구되는 TTV, 표면 조도, 표면 하부 손상 깊이 등 품질 규격은 반도체 미세화에 따라 더욱 엄격해지고 있습니다. 절단 공정은 원재료 회수율과 산출 품질 두 영역에서 매번 일관성을 보장해야 합니다.
SiC, 사파이어와 같이 단위 부피당 원재료 비용이 높은 소재에서는 0.35mm 절삭 폭과 0.5mm 절삭 폭 간 차이가 생산단 전체에 누적될 때 상당한 비용 변수로 작용합니다. 와이어 직경 선정 및 가공 파라미터 최적화가 잉곳 혹은 불 한 개당 확보 가능한 기판 수에 직결됩니다.
SiC, 사파이어와 같이 단위 부피당 원재료 비용이 높은 소재에서는 0.35mm 절삭 폭과 0.5mm 절삭 폭 간 차이가 생산단 전체에 누적될 때 상당한 비용 변수로 작용합니다. 와이어 직경 선정 및 가공 파라미터 최적화가 잉곳 혹은 불 한 개당 확보 가능한 기판 수에 직결됩니다.
자사는 다이아몬드 와이어쏘 절단 및 표면 연삭을 기판 가공 전 공정 — 잉곳·불 슬라이싱, 크롭, 프로파일 절단, 할석 후 손상 제거, 두께 교정 —에 제공하며 모든 라인업은 소재, 기판 형상, 품질 규격별 맞춤 세팅이 원칙입니다.
0.35mm 이하 와이어 직경으로 블레이드 기반 설비 대비 월등히 협소한 절삭 폭을 구현합니다. SiC, 사파이어 등 고가 소재에서는 얇은 절삭 폭으로 추가 산출되는 기판 수가 공정별 비용 차이를 상쇄합니다.
와이어 장력, 공급 속도, 가공 속도 등 주요 파라미터를 최적화하여 슬라이싱에서 발생하는 표면 하부 손상 깊이를 최소화합니다. 얕은 SSD는 래핑·연마에서 제거해야 하는 소재량을 줄이고, 후단 공정 시간 및 완성 후 기판 두께 보존율을 높입니다.
와이어 장력, 공급 속도, 체계적 와이어 마모 모니터링으로 배치 전체의 TTV를 유지합니다. 와이어 마모를 모니터링·관리하여 생산 초반과 후반의 절단 품질을 균일하게 맞추고, 후반 변동으로 인한 불량 발생을 방지합니다.
슬라이싱 후 표면 연삭으로 절단 손상층을 제거하고 기판 두께와 평탄도를 하위 연마·에피택셜 공정 기준에 맞춥니다. 제어된 소재 제거량으로 CMP 재고와 연마 공정 시간을 줄여 생산 라인의 전체 공정 수율을 높입니다.
자사는 반도체 기판 가공에 대해 3가지 시스템 라인업을 운용합니다. 소재, 기판 형상, 생산량, 품질 스펙별 사양 맞춤이 모든 공급의 기본 전제이며, 일률 적용 세팅은 지양합니다.
자사 CNC 다이아몬드 와이어쏘 시리즈는 반도체 기판 생산을 위한 주력 시스템입니다. 연구소용 정밀 절단부터 대량 잉곳·불랫 슬래브 슬라이싱까지 적용 범위를 포괄합니다. 대형 원형 밴드 혹은 불랫을 기판 대응 슬라이스로 가공하는 대량 원형절단 공정에 대응합니다.
와이어쏘 시리즈는 상업용 기판 생산에 맞는 잉곳·불랫 사이즈 전반을 커버하며, 0.35mm 와이어 선택으로 고가 크리스탈 소재 수율 극대화를 위한 협폭 절삭이 가능합니다. CNC 제어로 절단 전체에 일관된 공급·장력 관리가 유지되며, 배치 내외 TTV 안정성을 확보할 수 있습니다.
적용 범위는 소규모 정밀 단일 와이어 시스템부터 대형 다축 대량 생산 시스템까지 다양하게 구성 가능합니다.
링 연마 와이어 방식은 연속 루프 구조로 반도체, 광학 소재의 저진동 고정밀 절단을 지원합니다. 세 가지 사양으로 생산 목적에 대응합니다.
슬라이싱 구성: 블록/인곳에서 웨이퍼, 씬 슬래브 가공—알루미나 단결정, 실리콘 웨이퍼, 광학유리, 흑연, 연삭 휠 절단. 0.35mm부터.
원형 절단 구성: 원통형 소재에서 원형 단면 가공—광학유리, SiC 결정, 원형 또는 디스크형 결과물 요구 시.
컨투어 프로파일링 구성: 자유곡선 비정형 형상—흑연, 크리스탈 프로파일링, 항공 복합재 및 고기능 세라믹의 곡선/복합 경로 절단.
슬라이싱 절단 후 표면 연삭으로 절삭 손상층을 제거하고, 목표 두께 및 플랫니스 구현, 후공정(연마, 에피타시 등)에 최적의 기판을 제공합니다. 자사의 수직 스핀들·회전 테이블 구조로 표면 전체에 걸친 균일 평탄도 및 가공 깊이를 확보합니다.
웨이퍼를 목표 두께·TTV에 맞춰 대량 가공할 수 있으며, CMP·연마 전공정의 연삭량 및 주기 시간을 단축합니다. 가공 소재는 실리콘, SiC, 사파이어, 쿼츠 글라스, 첨단 세라믹 등이며, 소재별 가공조건은 손상 제거율/표면 품질 최적 밸런스에 맞춰 설정합니다.
아래 반도체 및 광학 결정 소재 전 범위에 걸친 직접 할석 및 연삭 적용 경험을 보유합니다. 자사 와이어쏘 시스템은 대량 잉곳 할석 및 단품 정밀 절단 등 생산 현장과 연구 환경 모두에서 사용되고 있습니다. 현재 더욱 고도화하는 영역은 TTV 및 절삭 폭 공차 요건이 엄격한 대량 생산조건 대응입니다. 귀하의 소재 또는 적용 범위가 목록에 없다면 직접 상담이 가장 효과적입니다.
파워 반도체 기판 생산을 위한 실리콘 카바이드 원석 슬라이싱 시 다이아몬드 와이어쏘 적용 — 고가 SiC 소재의 절삭 폭 손실 관리, 와이어 마모 제어, 배치 전체의 TTV 일관성 확보에 주력하였습니다.
LED 기판 및 광학 부품 생산용 사파이어 원석의 다이아몬드 와이어쏘 슬라이싱 – 이방성 소재 절단, 칩리스 표면, 광학 윈도우용 원형 프로파일 절단
초기 상담
귀사의 가공 대상 소재, 생산 목표, 현장 환경, 일정 등 실질 요건부터 논의합니다. 표준 설문지가 아닌 직접 기술 엔지니어가 상담합니다.
사양 확정
초기 논의를 바탕으로 장비 유형, 치수, 공구, 제어 구조, 인터페이스 등 귀사 프로젝트에 맞춘 구체 사양을 도출합니다.
엔지니어링 검토 및 수정
확정된 사양을 귀하의 기술팀과 공유하여 검토합니다. 코멘트 반영 및 설계 수정을 거쳐 최종 사양을 결정합니다.
제작 및 품질 문서화
내부 제작 전 과정에서 품질 문서를 관리합니다. 납품 시 점검 및 인도 절차를 위한 문서 패키지를 제공해 드립니다.
시운전·교육·지속 지원
현장 시운전으로 사양 충족 여부를 검증합니다. 귀하의 작업자를 위한 운전 교육을 제공합니다. 장비 전체 수명 기간 동안 기술 지원을 지속합니다.
Dinosaw는 엔지니어링 변경, 제작 공정, 품질 문서, 납기까지 전 과정 내부 통제 아래에서 장비를 직접 설계·제작합니다. 공급 위험을 감내할 수 없는 귀사 프로젝트에 최적입니다.
자사 엔지니어는 귀사 프로젝트 제안서를 기반으로 직접 사양을 구축합니다. 현장 환경, 소재 특성, 가공 목표를 반영해 사양을 만들고, 귀하의 기술팀과 협력하여 설계안을 반복 확정합니다.
모든 시스템은 설계부터 귀사 프로젝트별로 맞춤 구성을 적용합니다. 단순히 사양 변경이 아니라, 소재, 형상, 생산량, 운영 요건별로 독자적 세팅을 제공합니다.
모든 장비에 대해 시운전 지원, 작업자 교육, 지속 기술 지원을 제공합니다. 해외 프로젝트도 상세 문서, 원격 진단, 일정에 맞는 현장 출장 등 다양한 방식으로 대응합니다.
공장, 가공 플랜트, 산업 현장 등 자체 생산 목적의 설비 구축이 필요한 사업자를 대상으로 신규 소재, 라인 증설, 기존 설비 개선까지 요구 분석부터 가동까지 전 과정을 함께합니다.
Dinosaw Machine의 지역별 유통사·대리점 대상으로 기술 지원, 제품 문서, 시장별 솔루션 협업을 통해 귀사의 영업 효율 증대를 지원합니다.
장비사양, 타당성조사, 기술 평가 등 산업 프로젝트 컨설팅을 위한 자료, 실적 데이터, 직접 엔지니어링 검토를 귀사 업무에 공급합니다.
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